蚌埠两酸抛光-昆山韩铝化学2-两酸抛光

多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，两酸抛光，配合高分散性配方，两酸抛光剂，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、led芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液cmp抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

化学抛光的优缺点：

1：优点： 操作简便、快速，无需---仪器。抛光后试样表面无变形层，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示组织，抛光结束之后可以观察组织，不需再做侵蚀显示。

2：缺点：抛光液容易失效，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，两酸抛光 公司，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响