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使用方法：1． 使用 工艺处理浓度: 建议控制条件 理想值risr- b709 原液使用 原液使用处理温度 &nbs p; 65-75℃ 70℃处理方法 &nbs p; 搅拌浸泡处理时间 &nbs p; 5-10分钟 5min注：使用前 采用恒温加热35℃和均匀的搅拌，建议采用石英加热器加热。2． 处理流程工件脱脂 水洗 侵入化抛剂 清洗2-3次 烘干或后处理工序。建 浴：1、清槽 建议使用钢体结构内衬pp或pe材料，首先使用 碱液清洗后再使用-清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用纯水清洗一遍；2、配制 原液使用。废水处理：废水处理按常规化学品处理，同时应遵循 有关的化学应用规则，注意事项：在接触化学品时，必须阅读、理解和遵循msds上 的急救和处理建议。贮存时注意：贮存处应阴凉、干燥、避光。

由于铝和铝合金的易加工性能以及其表面经过处理后的高耐腐蚀性能，越来越多的铝合金制品被用于民用和工业用品中。为了提高铝合金制品的装饰性能，需要对其表面进行各种处理，其中化学抛光是一种赋于铝合金表面靓丽的处理工艺。

传统的三酸化学抛光液是由70％磷酸、20％-、10％组成。在这种抛光液中是充当一种缓蚀剂的作用，具有氧化性在使用时与铝进行反应而被还原成棕黄色的二氧-气体，二氧-对操作人员的-会造成-的伤害，同时二氧-也腐蚀工厂里内的机械设备。另外由于三酸抛光作业一般在100℃左右进行，易挥发和分解，通常的消耗速度过快，需频繁的对其含量进行分析和补加，造成铝合金工件批次间的光泽波动较大，也不利于自动线连续性操作。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光cmp机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：1抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。2抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛-率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得-的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。